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IKP01N120H2中文资料

IKP01N120H2图片

IKP01N120H2外观图

  • 大小:387.75KB
  • 厂家:INFINEON [Infineon Technologies AG]
  • 描述:HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
  • 数据列表:IKP01N120H2
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:-
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):2.8V @ 15V,1A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3.2A
  • 功率 - 最大:28W
  • 输入类型:标准型
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:PG-TO220-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:SP000683050

IKP01N120H2供应商

更新时间:2022-12-31 21:35:54
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  • 服务标识
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